拓荆科技：持续推动薄膜沉积及三维集成设备突破
存储技术演进对薄膜沉积设备要求提升，有望带动行业高速成长。部分投资者对存储技术演进下薄膜沉积设备环节的受益程度仍关注不足。我们认为，薄膜沉积设备在存储产线资本开支中的占比有望在3D堆叠技术趋势下大幅提升。NAND方面，3DNAND层数持续提升。由于每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，层数增加将催生更多的薄膜沉积设备需求。此外，薄膜沉积设备中的ALD设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制，在3D堆叠结构的NANDFlash工艺中的需求占比有望大幅增加。DRAM方面，HBM堆叠层数增加需要更多ALD设备进行互联层沉积。此外DRAM未来也有望向3D堆叠方向发展，有望进一步推动薄膜沉积设备的需求量和性能要求。 公司持续完善薄膜沉积设备产品布局，推动高端产品突破。在薄膜沉积设备方面，公司已经构建覆盖PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD和FlowableCVD等全系列薄膜材料的设备矩阵，深度覆盖逻辑芯片、存储芯片、先进封装等多元化应用场景的需求。截至2025年底，公司产品已进入超过70条芯片制造厂生产线；累计出货反应腔已超过3000个，且应用于先进制程领域的高性能反应腔占比不断提高；在客户端产线生产产品的累计流片量已突破3.96亿片；客户端设备平均稳定运行时间超过90%，达到国际主流水平。 公司积极布局三维集成设备，产品进展顺利。三维集成设备的应用场景随半导体技术演进持续拓展。在3DNAND、HBM、CIS等多个领域可通过先进键合技术实现不同功能芯片的高密度集成，打破单芯片制程演进的物理限制。公司持续拓展应用于三维集成领域的半导体设备，推出晶圆对晶圆的高精度混合键合等先进键合产品及配套的量检测产品。目前，公司3DIC系列多台设备出货至客户端，验证进展顺利。 我们预测公司25-27年归母净利润分别为10.4、16.3、24.3亿元(原25-26年预测为9.1、12.9亿元，主要调整了营业收入、毛利率与费用率)，根据DCF估值法，给予380.22元目标价，维持买入评级。 风险提示 半导体设备行业景气度不及预期；客户验证进展不及预期；零部件断供风险；市场份额提升不及预期；政府补助持续性风险。 |
